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160 天然优势背靠祖国（第2页）

与日本东芝、NEC、冲电气（OKI）展开新型闪存FLASH方面的技术合作等。

客观而言，产业链横向扩张对于天朝是很难复制的，因为西方列强根本不会对天朝输出半导体集成电路芯片的核心技术。

即使天朝诸多企业溢价用巨额资金购买也是诸多困难。

但坚持产业链的横向扩张，这是成为半导体强国的必经之路。

1992年三星全球第一个成功研制64MDRAM。

64MDRAM，硅片直径为200-250mm，芯片面积为135mm2，集成度为140000000。

采用的主要技术为超净技术和3.3V低电压化技术。

在集成度方面，韩国人是日本人的360%。

依靠64MDRAM，三星超越日本NEC，首次成为全球第一大DRAM内存制造商。

此后，韩国开始制霸之路，连续25年蝉联世界第一。

韩国成为全球半导体内存市场第四个霸主。

1996年，韩国三星的DRAM芯片出口额达到62亿美金，居世界第一。

日本NEC居第二。

韩国现代以21.26亿美金居第三位。

韩国LG以15.4亿美金居第九位。

不到十年时间，韩国人一举打垮日本人，牢牢占据了全球半导体内存市场。

至此，韩国人全面崛起于日韩半导体战争，成为全球半导体工业大国。

再次回顾韩国人崛起的历史过程。

1968-1980年，在米国人帮助下，韩国人完成追赶，初步建立了半导体工业体系。

半导体工业产值从不足2000万美元，增加到15亿美金以上。

半导体出口产值从300万美金，增加到11亿美金以上。

1980-1985年，韩国人在米国人扶持下，仅仅用5年时间快速完成并掌握16K、64K、256KDRAM的关键技术的研制，一举超越日本人过去三十年的所有努力。

5年时间，韩国半导体工业产值达41.87亿美金，期间增长176%。

韩国半导体出口产值达25.33亿美金，期间增长113%。

1986-1997年，第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争爆发。

米国人“扶韩抗日”

，在米国人全力扶持下，特别是1985、1991年《美日半导体协议》的签署，到1994年韩国人在64M、256MDRAM完成对日本人的从追赶到领先。

这一时期，韩国半导体工业产值超过225亿美金，期间增长437%。

韩国半导体出口产值131亿美金，期间增长418%。

韩国人完成从半导体发展天朝家到全球半导体大国的转变。

1998-2010年的第三次DRAM世界大战-韩台半导体战争，韩国人完成了自身DRAM核心技术的“米国基因”

转型为“独立自主基因”

，最终实现了从半导体大国蜕变为半导体强国。

在这一时期，韩国人主要的成功经验有：