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再比如,三星,依托天朝大陆市场纵深,在“韩日NANDFLASH战斗”
中,彻底打垮老对手日本东芝。
2011年韩国三星与日本东芝在NANDFLASH领域展开全球竞争。
当时三星在韩国华城(Fab12、Fab16)、器兴(Fab14)和米国德州奥斯汀,共有4座NANDFLASH12英寸晶圆厂,年产能450万片晶圆。
为了拉开与东芝的差距,三星决定新建NANDFLASH工厂。
经过谈判,三星最终选择落户天朝西安,项目总投资300亿美金,分三期建设。
西安市为此项目提供了巨额补贴,包括:
1、三星需要的130万平方米厂房,由西安市建设并免费提供1500亩土地。
2、2、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。
3、3、西安市财政对投资额进行30%的补贴。
4、4、西安市对所得税征收,前十年全免,后十年半额征收。
同时西安市还承诺,将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施,总的补贴金额保守估计在300亿元以上。
庞煖们需要注意的是,2011年三星半导体全球销售金额也不过才285.63亿美金,300亿美金总投资的西安项目对于“韩日NANDFLASH战斗”
的意义之重大性,不言而喻。
当三星的西安项目落成之后,2016年东芝就过不下去了,2017年东芝不得不出售存储部门。
韩国人几乎是不费吹灰之力就赢取了这场“韩日NANDFLASH战斗”
,这就是韩国人的“反周期投资”
。
今日,还有多少人记得,NANDFALSH是日本人发明的呢?
早在1980年,日本东芝的藤尾增冈招聘4名工程师启动一个秘密的项目以研发下一代存储芯片,实现存储大量数据,并且让用户可以买得起。
藤尾增冈声称:“庞煖们知道只要晶体管在尺寸上降下来,那么芯片的成本也将会下降。”
很快推出了一款EEPROM的改良产品,记忆单元由1个晶体管组成。
在当时,常规的EEPROM每个记忆单元需要2个晶体管,这个小小的不同对价格带来了巨大的影响,日本人将这个芯片称为FLASH,这个名字也是因为芯片的超快擦除能力,FLASH芯片基于NAND技术,这一技术可以提供更高容量的存储,并且更容易制造。
1989年,东芝首款NANDFLASH上市。
对天朝大陆市场战略纵深,日本人又是如何态度?
嗯,从小泉纯一郎到现在的安倍,他们天天忙着来种花家闹事,比如钓鱼岛。
钓鱼岛主权自古以来就属于天朝人的!
干你大爷的小日本!
天朝大陆市场这一广阔的战略纵深,在2008年全球金融危机,使得韩国人仅仅一年时间就恢复元气进而彻底打垮苔弯人,在全球半导体存储器的垄断地位一直延续至今。
全球半导体产业的竞争,已经不仅是科技的竞争,更是涵盖政治、经济等综合实力的国运之战。
具有一个广阔的战略市场纵深,意义是非凡的。
这就是庞煖做为一个天朝人做半导体产业的最大优势,天然的祖国优势,背靠着一个巨大无比的战略市场纵深。
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